Precursor’s Day

L'ALD (Atomic Layer Deposition) est une technique de pointe de dépôt de couches minces en phase gazeuse, caractérisée par l'application séquentielle méticuleuse d'un complexe métallique ou d'un précurseur avec un agent réactif (tel que H2O ou N2O) sur un substrat chauffé. Chaque étape implique des interactions chimiques précises : le précurseur réagit d'abord à la surface du substrat, puis le réactif réagit avec le précurseur. Des séquences de purge sont mises en œuvre entre les deux pour expulser tout sous-produit indésirable. Les précurseurs volatils sont essentiels à ce processus, car ils garantissent une stabilité thermique pour le stockage et le transport, ainsi qu'une réactivité adaptée à des compositions de surface spécifiques.

L'efficacité de l'ALD repose sur des précurseurs moléculaires possédant une combinaison unique de propriétés souvent liées à leur structure tridimensionnelle et à la force des interactions intra- et intermoléculaires. Au cours de cet atelier, les différentes présentations viseront à approfondir la relation complexe entre la structure moléculaire et les performances de l'ALD, en examinant minutieusement comment les différents paramètres atomiques du métal et du ligand - tels que la taille stérique, la présence d'atomes de fluor, l'asymétrie et les propriétés électroniques (donneur ou accepteur) - influencent la volatilité, la stabilité et la réactivité de ces molécules pivots. D'autres aspects pratiques liés à la synthèse des précurseurs, à leur utilisation dans des systèmes commerciaux, etc. seront également abordés.

L'objectif de cet atelier d'une journée est de fournir aux utilisateurs du processus ALD, quel que soit leur niveau d'expertise chimique, une feuille de route pratique. En mettant en lumière la dynamique moléculaire complexe qui régit les processus ALD, les participants acquerront les outils nécessaires pour évaluer et choisir les familles de précurseurs les plus appropriées à leurs applications ALD spécifiques.

La participation est gratuite, mais vous devez vous inscrire en cliquant sur le lien suivant : inscription