Le sulfure de zinc (obtenu alors à partir de zinc et de soufre élémentaires pour des écrans électroluminescents) est l’un des premiers dépôts effectués en ALD dans les années 70. Cependant, les matériaux sulfures restent peu étudiés et représentent aujourd’hui moins de 10 % des articles ALD publiés chaque année. …
L’utilisation de l’ALD dans l’industrie et la recherche académique nécessite d’avoir des procédés spécifiques afin d‘optimiser les propriétés de couches déposées, d’optimiser des rendements de production, d’optimiser des coûts, etc… Il existe donc, actuellement, une grande variété de procédés ALD disponible ; chaque jour amenant de nouvelles innovations. Les innovations …
La réussite d’un procédé ALD repose largement sur la maîtrise de la chimie des interactions entre les molécules précurseurs et les surfaces de dépôt. La compréhension fine, à l’échelle atomique, des mécanismes mis en jeu lors des cycles de croissance en ALD constitue ainsi un point crucial pour la mise …
Cet axe comporte les aspects fondamentaux de sélection et conception des précurseurs (en général des mol écules organométalliques), de l’apport de la simulation numérique pour le procédé ALD et du développement des chimies (précurseurs/réactants) pour des approches thermique ou plasma. Un thème porte sur la connaissance et la compréhension des …
La SALD est une variante de l’ALD dans laquelle les précurseurs sont continuellement envoyés dans différentes emplacements (séparation de précurseurs dans l’espace), ce qui rend inutile l’étape de purge de l’ALD conventionnelle (avec des précurseurs séparés dans le temps). Cette approche se traduit par une vitesse de dépôt beaucoup …
