ACRONYME
Groupe de Recherche sur l'Energétique des Milieux Ionisés
Université d'Orléans, CNRS
Orléans
Activités
- Atomic Layer Etching
Famille de matériaux
- Oxydes
- Nitrures
- Si, GaN, AlGaN(il est question d'ALE pour ces réponses)
Applications
- Transition numérique: (écrans, capteurs, micro-electronique, Qubits, ...)
Réacteur(s) ALD
-
Réacteur d'ALE (Oxford Instruments)
Publication n°1
" Cryo atomic layer etching of SiO2 by C4F8 physisorption followed by Ar plasma "
DOI : 10.1063/1.5119033
Publication n°2
" Mechanism understanding in cryo atomic layer etching of SiO2 based upon C4F8 physisorption "
Personnes impliquées
- DUSSART Rémi
- LEFAUCHEUX Philippe
- TILLOCHER Thomas