IMN
Institut des Matériaux Jean Rouxel
CNRS / Université de Nantes
Multi-sites (se référer au site web)
Activités
- PE-ALD
- Précurseurs
- Simulations et/ou modélisation
- Croissance, instrumentation in-situ
- Atomic Layer Etching
Famille de matériaux
- Oxydes
- Sulfures
- Nitrures
- Oxynitrures avec inclusions métalliques
Applications
- Transition énergetique (catalyse, PV, batteries, piles à combustibles, nucléaire, ..)
- Transition numérique: (écrans, capteurs, micro-electronique, Qubits, ...)
Réacteur(s) ALD
- Réacteur "home-made"
- Réacteurs de Gravure
Publication n°1
" TiO2-SiO2 nanocomposite thin films deposited by direct liquid injection of colloidal solution in an O-2/HMDSO low-pressure plasma "
DOI : 10.1088/1361-6463/abc84d
Publication n°2
" Unveiling a critical thickness in photocatalytic TiO2 thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition using real time in situ spectroscopic ellipsometry "
DOI : 10.1088/1361-6463/ac1ec1
Publication n°3
" Etching of GeSe2 chalcogenide glass and its pulsed laser deposited thin films in SF6, SF6/Ar and SF6/O2 plasmas "
DOI : 10.1088/1361-6595/abb0d0
Autres personnes impliquées
- GRANIER Agnès
- BESLAND Marie-Paule
- GOULLET Antoine
- CARDINAUD Christophe
- GIRARD Aurélie
- RICHARD Mireille
- BARBE Jérémy
- BRIEN Valérie