The success of ALD processes mostly rely on the control of the chemical interactions between precursor molecules and surfaces. A precise atomic scale understanding of the elementary mechanisms involved during ALD growth thus constitutes a crucial point for the implementation and optimization of the overall deposition process; it should be …

Mécanismes de croissance : modélisation et caractérisations in situ

La réussite d’un procédé ALD repose largement sur la maîtrise de la chimie des interactions entre les molécules précurseurs et les surfaces de dépôt. La compréhension fine, à l’échelle atomique, des mécanismes mis en jeu lors des cycles de croissance en ALD constitue ainsi un point crucial pour la mise …

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SALD

  La SALD est une variante de l’ALD dans laquelle les précurseurs sont continuellement envoyés dans différentes emplacements (séparation de précurseurs dans l’espace), ce qui rend inutile l’étape de purge de l’ALD conventionnelle (avec des précurseurs séparés dans le temps). Cette approche se traduit par une vitesse de dépôt beaucoup …