LAAS
Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
CNRS
7, avenue du Colonel Roche - BP 54200 - 31031 Toulouse Cedex 4
Activités
- Thermal ALD
- PE-ALD
Famille de matériaux
- Oxydes
Applications
- Transition énergetique (catalyse, PV, batteries, piles à combustibles, nucléaire, ..)
- Photonique (encapsulation, etchstop, etchmask, ....)
Réacteur(s) ALD
- Veeco/Cambridge Nanotech
- Sentech
- Beneq
Publication n°1
" Role of Trimethylaluminum in Low Temperature Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride "
Publication n°2
" In situ plasma pre-treatments of Silicon for ALD of Al2O3 "
HAL : hal-03413850
Publication n°3
" Investigating the nucleation of Al2O3 on clean Si in ALD : plasma post and pre-processing "
HAL : hal-03845065
Personnes impliquées
- DUBREUIL Pascal
- CALVEZ Stéphane
- ESTEVE Alain
- ROSSI Carole